Hochpräzise Dual-Operationsverstärker für einen weiten Betriebsspannungsbereich von 4V bis 36V

STMicroelectronics hat den TSB192 veröffentlicht, einen Dual-Operationsverstärker, der für hochpräzise Leistung über ein breites Betriebsspannungsspektrum entwickelt wurde. Diese Technologie richtet sich an Signalkonditionierungsnetzwerke in der Industrie-, Automobil-, Gesundheits- und Unterhaltungselektronik. Durch die Kombination einer niedrigen Offset-Spannung mit einem weiten Versorgungsbereich dient das Bauteil als Lösung für Ingenieure, die Kompensationsschaltungen in komplexen Messsystemen minimieren möchten.

Verbesserte Präzision und thermische Stabilität
Der TSB192 zeichnet sich durch eine maximale Offset-Spannung von 20 µV und eine Temperaturdrift von 100 nV/°C aus. Während hochgenaue Operationsverstärker typischerweise Niederspannungsversorgungen benötigen, behält dieses Gerät seine Präzision — einschließlich eines maximalen Offsets von 30 µV über den gesamten Temperaturbereich — bei einer Unterstützung von Versorgungsspannungen von 4 V bis 36 V bei. Diese technische Architektur ermöglicht es dem Bauteil, die Linearität in analogen Integratoren und Messschaltungen für medizinische Instrumente, elektronische Waagen und Temperaturdetektoren beizubehalten. Die Integration von Rail-to-Rail-Ausgängen maximiert zudem den Dynamikbereich für diese hochempfindlichen Anwendungen.

Dynamische Leistung für die industrielle Instrumentierung
Für Hochfrequenzanwendungen bietet der Verstärker eine Bandbreite von 8 MHz und eine Flankensteilheit (Slew Rate) von 5 V/µs. Diese Parameter sind zusammen mit einem Eingangsrauschen von 11 nV/√Hz darauf ausgelegt, Verzerrungen in präzisen Aktivfiltern und Verstärkern für Dehnungsmessstreifen, Brücken und Wandler zu reduzieren. Die operative Effizienz wird durch eine Stromaufnahme von 1,9 mA pro Kanal unterstützt, was zur Verlängerung der Batterielebensdauer von tragbaren Diagnosegeräten beiträgt.

Verfügbarkeit und Automobilstandards
Der TSB192 ist für robuste Umgebungen ausgelegt und arbeitet zwischen -40 °C und 125 °C bei einer ESD-Toleranz (Electrostatic Discharge) von bis zu 4 kV Human Body Model (HBM). Das Produkt ist in SO-8- und MiniSO-8-Gehäusen erhältlich. Nach der Markteinführung am 20. April 2026 in Genf, Schweiz, ist für den weiteren Verlauf des Jahres eine Version in Automobilqualität geplant, um spezifische Zuverlässigkeitsstandards des Sektors zu erfüllen.

Bearbeitet von einem Industriejournalisten, Lekshman Ramdas, mit KI-Unterstützung.

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