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Infineon produziert den fünfmilliardsten CMOS HF-Schalter

Höchste Qualitätsstandards und industrieweit führende Halbleiter durch Innovation und Fertigung: So begann die Infineon Technologies AG 2008 die Volumenfertigung der ersten CMOS-Hochfrequenz (HF) Schalter. Wegen der beginnenden 5G-Mobilfunk Ära erlebt das Portfolio von Infineon heute weltweit hohes Interesse bei innovativen Anbietern im Wireless Markt. Inzwischen liefert das Unternehmen weit mehr als eine Milliarde HF-CMOS-Schalter pro Jahr an Kunden aus, seit dem Start insgesamt mehr als fünf Milliarden Stück.

Infineon produziert den fünfmilliardsten CMOS HF-Schalter
„Angesichts der weitreichenden Expertise bei der Halbleiterfertigung und hohen Qualität ist Infineon ein bevorzugter Lieferant für OEMs und Chipsatz-Anbieter“, sagte Philipp von Schierstädt, Vice President und General Manager für Radio Frequency Systems bei Infineon. „Die hohe Marktakzeptanz unterstreicht unser tiefgreifendes Systemverständnis für HF-Front-Ends, unser technisches Knowhow sowie die mit hoher Qualität und Lieferzuverlässigkeit verbundene Fertigungsstrategie von Infineon.“

Die in hohen Stückzahlen ausgelieferten CMOS-ICs bieten zahlreiche Integrationsvorteile. Seit Einführung von Halbleiterlösungen in den 1960er Jahren lassen sich die Design-Technologien für HF-Schalter in zwei Kategorien gliedern: elektromechanische Schalter (MEMS) und Halbleiterschalter. Aufgrund der relativ langsamen Schaltgeschwindigkeiten, der beschränkten Wiederholgenauigkeit und Zuverlässigkeit scheiden MEMS für zukünftige 5G-Anwendungen aus.

Mittlerweile ermöglichen Fortschritte bei der Forschung weitere Optionen für die Halbleiterlösungen. Im Vergleich zu Gallium-Arsenid (GaAs) und Gallium-Nitrit (GaN) bietet die Transistor-zu-Transistor-Logik auf CMOS-Basis die bestmögliche Integration. Dies erlaubt platzsparende Designs auf den Leiterplatten. Denn im Gegensatz zu den anderen Alternativen benötigen die CMOS-Lösungen keinen zusätzlichen Oxid-Layer und kein spezielles Material für die Waferverarbeitung. Das reduziert die Kosten.

Aufgrund der kommenden 5G-Telekommunikation stehen OEMs und OMDs neben der allgemeinen Industriedynamik weiteren Herausforderungen gegenüber. Infineon entwickelt hierfür neue Produkte, die den hohen Anforderungen der HF-Entwickler entsprechen.

Verfügbarkeit

Die Spezifikation der verfügbaren Muster einer neuen Generation von CMOS-HF-Schaltern unterstreicht diese führende Position. Die Volumenfertigung der neuen Bauelemente BGSX22G5A10 und BGSX33MA16 für das Antennen-Swapping beginnt im Spätsommer 2018 und stellt die weitere Verfügbarkeit leistungsfähiger HF-Schalter sicher. Weitere Informationen sind erhältlich unter

www.infineon.com/cms/de/product/rf-wireless

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