Toshiba stellt neue 100V-n-Kanal-MOSFETs für Automotive-Anwendungen vor

Erstmals neue hocheffiziente Bausteine im SOP-Advance-/WF-Gehäuse.

Toshiba Electronics Europe stellt seine ersten 100V-nKanal-Leistungs-MOSFETs für Automotive-Anwendungen vor, die im kleinen SMD-SOPAdvance-/WF-Gehäuse ausgeliefert werden. Die Bausteine wurden speziell für moderne 48V-Systeme entwickelt und eignen sich für Aufwärts-/Boost-Wandler in integrierten Startergeneratoren (ISG), LED-Scheinwerfer sowie für Motorantriebe, Schaltregler und Lastschalter.

Die MOSFETs XPH4R10ANB und XPH6R30ANB verbessern die Effizienz von AutomotiveSystemen, da sie einen geringen Durchlasswiderstand RDS (ON) bieten. Der XPH4R10ANB bietet sogar den branchenweit geringsten Widerstand mit nur 4,1mΩ und verringert somit Systemverluste deutlich. Beide Bausteine sind im SOP-Advance-/WF-Gehäuse mit Wettable Flanks untergebracht. Dieses kleine Gehäuse hat sich in 48V-AutomotiveAnwendungen bewährt und ermöglicht die automatische optische Inspektion (AOI), um die Qualität der Lötstellen zu gewährleisten.

Beide MOSFETs sind Teil der U-MOSVIII-H-Serie von Toshiba und bieten eine DrainSource-Spannung (UDSS) von 100V und eine maximale Betriebstemperatur von 175°C. Der XPH4R10ANB unterstützt einen maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 70A und Pulsströme bis 210A. Die Werte für den XPH6R30ANB betragen 45 bzw. 135A.

www.toshiba.com

  Fordern Sie weitere Informationen an…