SIC-MOSFET-MODULE VON TOSHIBA ERMÖGLICHEN DIE VERKLEINERUNG INDUSTRIELLER ANWENDUNGEN BEI GLEICHZEITIGER STEIGERUNG DER EFFIZIENZ

Das neue MG800FXF2YMS3 enthält 2-Kanal-Siliziumkarbid-(SiC-)MOSFETs mit einer Nennspannung von 3300V, die Ströme bis 800A unterstützen. Zu den Hauptanwendungen dieser Module mit hoher Leistungsdichte zählen industrielle Antriebe und Motorsteuerungen, Wechselrichter im Bereich erneuerbarer Energien sowie Umrichter für die elektrische Bahninfrastruktur.

Entscheidend für die hervorragenden Leistungsparameter der neuen SiC-MOSFETModule ist Toshibas eigene Gehäusetechnik. Um einen hohen Wirkungsgrad zu erzielen, werden in diesen Modulen iXPLV-Gehäuse (Intelligent Flexible Package Low Voltage) verwendet, die auf einem fortschrittlichen silbergesinterten internen Bonding basieren.

Kanaltemperaturen bis zu 175°C werden unterstützt, während eine Isolation bis 6000Veff sichergestellt ist. Die Ein- und Ausschaltverluste werden auf 250 bzw. 240mJ gehalten, wobei Streuinduktivitätswerte von nur 12nH zu erwarten sind.

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