TOSHIBA STELLT FÜNF 650V-SUPERJUNCTION-LEISTUNGS-MOSFETS IM NEUEN TOLL-GEHÄUSE VOR

Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat fünf 650V-Superjunction-Leistungs-MOSFETs im neuen kompakten SMD-Gehäuse im TO-Leadless-Format (TOLL) vorgestellt. Mit nur 9,9mm x 11,68mm x 2,3mm (BxLxH) bieten der TK065U65Z, TK090U65Z, TK110U65Z, TK155U65Z und TK190U65Z eine um 27% kleinere Stellfläche als das herkömmliche D2PAK-Gehäuse. Zu den Anwendungen zählen Server-Stromversorgungen in Rechenzentren, Power-Conditioner für Solarstrom, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und andere industrielle Anwendungen.

Das Angebot wurde um Produkte der DTMOS-VI-Serie mit niedrigem Durchlasswiderstand bis hinab auf 65mΩ erweitert. Darüber hinaus bietet das 4-PinGehäuse optional eine Kelvin-Source, mit der sich der Einfluß der parasitären Induktivität des Source-Anschlusses im Gehäuse verringern und die Schalteffizienz durch Unterdrückung von Schwingungen verbessern lässt. Im Vergleich zum TK090N65Z mit gleicher Spannung und gleichem Durchlasswiderstand, der im TO-247-Gehäuse ohne Kelvin-Anschluss bereitsteht, weist der TK090U65Z bis zu 68% geringere Einschaltverluste auf – und die Ausschaltverluste fallen um 56% geringer aus.

Mit dieser neuesten Generation der DTMOS-VI-Serie von 650V-Superjunction-LeistungsMOSFETs im TOLL-Gehäuse können Entwickler ihre Endsysteme verkleinern und den Wirkungsgrad erhöhen. DTMOS VI zielt auf höchste Effizienz beim Schalten und erstklassige Güte (FOM) RDS(on) x Qgd ab.

Die neuen Bausteine sind ab sofort in Serie erhältlich.

www.toshiba.semicon-storage.com