ROHM auf der PCIM 2022: Neue Highlights im Power-Bereich und Investitionen in SiC-Produktionskapazitäten

Auf der diesjährigen PCIM, der führenden Fachmesse für Leistungselektronik in Nürnberg (10. bis 12. Mai 2022), stellt ROHM Semiconductor Europe seine neuen Leistungshalbleiterlösungen vor, die schwerpunktmäßig in den Bereichen E-Mobilität und Energieumwandlung zum Einsatz kommen.

Darüber hinaus gibt das Unternehmen seine europäischen und globalen Geschäftsaktivitäten, Strategien und Investitionspläne für Siliziumkarbid (SiC) bekannt.

Eine von ROHMs Innovationen im Power-Bereich ist die 4. Generation von SiC-MOSFETs: Diese erreicht bis zu 50 % geringere Schaltverluste und einen um 40 % niedrigeren Einschaltwiderstand, ohne die Kurzschlussfestigkeit zu beeinträchtigen. Die neueste Generation bietet einen flexibleren Gate-Spannungsbereich von 15 V bis 18 V und unterstützt das Abschalten mit Null Volt. Auf diese Weise können einfache Gate-Ansteuerungsschaltungen mit unipolarer Versorgung verwendet werden.

„Die Nachfrage nach SiC wird weiter steigen und auch ROHM wird den Absatz erhöhen. Wir werden weitere Investitionen tätigen und die Produktentwicklung auf Grundlage der Technologie beschleunigen, die wir als führender SiC-Hersteller kultiviert haben. Unser Unternehmen bietet auch in Zukunft Lösungen, die nicht nur SiC-Halbleiter, sondern auch periphere Komponenten und Kundensupport umfassen“, erklärt Dr. Kazuhide Ino, Managing Executive Officer, CSO von ROHM Co., Ltd.

ROHM hat vor kurzem seine Produktionskapazität für SiC-Leistungshalbleiter mit der Fertigstellung eines neuen Gebäudes in seinem Apollo-Werk in Chikugo, Japan, erhöht. „Als vertikal integrierter Halbleiterhersteller sind wir weitgehend unabhängig von Zulieferern und können flexibler auf Marktveränderungen reagieren. Der hohe Integrationsgrad unserer Werke verschafft uns einen Vorteil gegenüber anderen Herstellern, die viele Produktionsschritte auslagern. Außerdem unternehmen wir große Anstrengungen, um unsere Lieferketten und unser Produktionssystem weiter zu optimieren, um eine stabile Versorgung unserer Kunden sicherzustellen", erläutert Wolfram Harnack, Präsident von ROHM Semiconductor Europe.

Da die Nachfrage nach Siliziumkarbid-Halbleiterwafern in Zukunft weiter steigen wird, plant ROHM eine Ausweitung seiner Investitionen und Produktionskapazitäten. Darüber hinaus beabsichtigt ROHMs Produktionstochtergesellschaft SiCrystal mit Sitz in Nürnberg Kapazitäten und Personal deutlich aufzustocken. „Das Zwischenziel von SiCrystal ist es, mit der Produktion von mehreren 100.000 Substraten pro Jahr einen neunstelligen Umsatz zu erreichen“, sagt Dr. Robert Eckstein, Geschäftsführer von SiCrystal.

Isao Matsumoto, Präsident und CEO von ROHM Co., Ltd. ist zufrieden mit der Gesamtentwicklung der ROHM-Gruppe. Er blickt optimistisch in die Zukunft: „Wir konnten im letzten Geschäftsjahr einen Rekordumsatz erzielen und erwarten auch für das laufende Geschäftsjahr eine starke Performance. Dementsprechend haben wir den mittelfristigen Managementplan nach oben korrigiert und liegen damit vor dem Zeitplan. Unter den globalen Märkten betrachten wir Europa als einen Fokus-Markt, da hier viele Unternehmen führend in der technologischen Innovation im Automobilbereich und in der Industrieausrüstung sind. ROHM wird seinen Kunden weiterhin Lösungen anbieten, die sich auf Power- und Analogprodukte konzentrieren“, schließt Isao Matsumoto.

www.rohm.de

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