Infineon erweitert die Familie der Hochvolt-Superjunction-MOSFET um neue industrie- und automobiltaugliche Schalter für statische Schaltanwendungen

Bei halbleiterbasierten Schaltanwendungen liegt der Fokus auf der Minimierung von Leitungsverlusten, optimiertem thermischen Verhalten und der Umsetzung kompakter und leichter Designs bei gleichzeitig hoher Qualität und niedrigen Kosten.

Infineon erweitert die CoolMOS™ S7-Familie von Hochspannungs-Superjunction-MOSFETs (SJ) für verschiedene Anwendungen. Die Portfolioerweiterung umfasst innovative QDPAK-Gehäuse für die Oberseitenkühlung, die einen niedrigen RDS(on) von nur 10 mΩ bieten, was zu einem höheren Wirkungsgrad und einer verbesserten Systemleistung beiträgt.

Die Infineon Technologies AG erweitert die CoolMOS™ S7-Familie von Hochvolt-Superjunction (SJ)-MOSFETs, um die Anforderungen der kommenden Generation von Schaltanwendungen zu erfüllen. Die Bausteine zielen auf Schaltnetzteile, Solaranlagen, Batterieschutz, Halbleiterrelais (SSR), Motorstarter und Halbleiterschutzschalter sowie auf SPS, Beleuchtungssteuerung, HV eFuse/eDisconnect und (H)EV On-Board-Charger.

Die Portfolioerweiterung umfasst innovative QDPAK-Gehäuse mit Top-Side-Cooling (TSC) und bietet ein breites Funktionsspektrum auf kleinstem Raum. Dies macht sie sehr geeignet für niederfrequente Schaltanwendungen bei gleichzeitiger Kostenoptimierung. Dank des innovativen und effizienten QDPAK-Gehäuses benötigen sie außerdem kleinere oder gar keine Kühlkörper in Solid-State-Designs, was zu kompakteren und leichteren Systemen führt.

Die CoolMOS S7-Power Switches bieten außerdem eine effiziente Wärmeableitung durch einen verbesserten Wärmewiderstand. Dank des innovativen und effizienten QDPAK-Gehäuses benötigen sie in Solid-State-Designs kleinere oder gar keine Kühlkörper, was zu kompakteren und leichteren Systemen führt. Die MOSFETs sind sowohl als Top-Side- als auch als Bottom-Side-Variante erhältlich und verfügen über eine hohe Pulsstromfähigkeit, die es ihnen ermöglicht, plötzliche Stromstöße zu verarbeiten. Darüber hinaus sind sie mit einer robusten Body-Diode ausgestattet, die einen zuverlässigen Betrieb während der Kommutierung der Wechselstromleitung gewährleistet.

Da weniger Bauteile benötigt werden, verringert sich die Anzahl der Komponenten, was zu einer flexiblen Systemintegration, niedrigeren Stücklistenkosten und geringeren Gesamtkosten (TCO) führt. Darüber hinaus ermöglichen die MOSFETs kürzere Reaktionszeiten, insbesondere beim Abschalten des Stroms, was zu einem reibungsloseren und effizienteren Betrieb führt.

Verfügbarkeit
Die neuen 600 V CoolMOS S7 und CoolMOS S7A SJ MOSFETs für statisches Schalten in Industrie- und Automotive-Qualität sind in QDPAK-Gehäusen (PG-HDSOP-22) mit Top-Side- und Bottom-Side- (BSC) Kühlung erhältlich und können ab sofort bestellt werden. Weitere Informationen unter www.infineon.com/s7 und www.infineon.com/s7a

www.infineon.com

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