Infineon präsentiert neue 600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET Produktfamilie für anspruchsvolle und kosteneffiziente Anwendungen
Die Infineon Technologies AG stellt die neue 600 V CoolMOS™ 8 Hochspannungs-Superjunction (SJ) MOSFET Produktfamilie vor.
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Die Bauteile vereinen die besten Eigenschaften der 600 V CoolMOS 7 MOSFET Serie und sind die Nachfolger der Produktfamilien P7, PFD7, C7, CFD7, G7 und S7. Die neuen Superjunction-MOSFETs ermöglichen kostengünstige Lösungen auf Siliziumbasis und bieten neben der Erweiterung des Silizium-Portfolios eine Alternative zu den Produkten von Infineon im Bereich Wide-Band-Gap. Sie sind mit einer integrierten schnellen Body-Diode ausgestattet und eignen sich dadurch für ein breites Spektrum and Anwendungen wie Server- und Industrie-Schaltnetzteile (SMPS), Ladegeräte für Elektrofahrzeuge und Micro-Solar.
Die Bauteile sind unter anderem in SMD QDPAK-, TOLL- und ThinTOLL 8x8-Gehäusen verfügbar, wodurch die Designs vereinfacht sowie die Montagekosten reduziert werden können. Bei 10 V bieten die 600 V CoolMOS 8 SJ MOSFETs eine um 18 Prozent niedrigere Gate-Ladung (Q g) als die CFD7-Serie und eine um 33 Prozent niedrigere Gate-Ladung als die P7-Serie. Bei 400 V bieten sie eine 50 Prozent niedrigere Ausgangskapazität C OSS als die CFD7- und P7-Familie. Außerdem wurden die Abschaltverluste im Vergleich zu CFD7 und P7 um 12 Prozent reduziert. Die Sperrverzögerungsladung (Q rr) ist im Vergleich zu CFD7 um 3 Prozent geringer. Die Bauteile bieten zudem die niedrigste Sperrverzögerungszeit (t rr) auf dem Markt. Die thermische Performance wurde im Vergleich zur vorherigen Generation um 14 bis 42 Prozent verbessert.
Aufgrund der genannten Eigenschaften bieten die Bauteile eine hohe Effizienz und Zuverlässigkeit in Soft-Switching-Topologien wie LLC- und ZVS-phasenverschobenen Vollbrückentopologien. Auch in PFC-, TTF- und anderen Hard-Switching-Topologien verfügen sie über hervorragende Leistungswerte. Wegen ihres optimierten Einschaltwiderstands R DS(on) bieten die Bauteile eine höhere Leistungsdichte, sodass Produkte in einer siliziumbasierten Superjunction (SJ)-Technologie auf einen einstelligen Wert von 7 mΩ minimiert werden können.
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