ROHM stellt 650-V-GaN-HEMTs mit erstklassiger Leistung her

ROHM hat mit der Massenproduktion der gemeinsam mit Ancora Semiconductors entwickelten 650-V-GaN-HEMTs GNP1070TC-Z und GNP1150TCA-Z begonnen.

Die Verbesserung der Effizienz von Stromversorgungen und Motoren, die den größten Teil des weltweiten Stromverbrauchs ausmachen, ist zu einer großen Herausforderung auf dem Weg zu einer kohlenstoffarmen Gesellschaft geworden. Die Einführung neuer Materialien wie GaN und SiC (Siliziumkarbid) ist der Schlüssel für eine effizientere Stromversorgung.

Nach dem Beginn der Serienfertigung von 150-V-GaN-HEMTs – mit einer Gate-Durchbruchsspannung von 8 V – im Jahr 2022, führte ROHM im März 2023 eine Steuer-IC-Technologie zur Leistungsmaximierung von GaN-Bauelementen ein. Jetzt hat ROHM 650-V-GaN-HEMTs mit branchenführender Leistung entwickelt, die zu einer höheren Effizienz und verstärkten Miniaturisierung in einem breiteren Spektrum von Stromversorgungssystemen beitragen.

Der GNP1070TC-Z und GNP1150TCA-Z bieten eine branchenführende Performance in Bezug auf RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss und steigern damit die Effizienz von Stromversorgungssystemen. Gleichzeitig verbessert ein integriertes ESD-Schutzelement die elektrostatische Durchschlagsfestigkeit auf bis zu 3,5 kV. Dies erhöht die Zuverlässigkeit der Anwendung. Die Hochgeschwindigkeits-Schaltcharakteristik der GaN-HEMTs trägt auch zur weiteren Miniaturisierung von Peripheriekomponenten bei.

ROHM wird mit seinen GaN-Bauelementen der EcoGaN™-Produktreihe, die zu größeren Energieeinsparungen bei Anwendungen und zur Miniaturisierung beitragen, weiterhin die Leistung von Bauelementen verbessern. Bei der Entwicklung seiner Produkte wird ROHM auch die Zusammenarbeit mit strategischen Partnerschaften fördern, um durch effizientere und kompaktere Anwendungen bei der Lösung gesellschaftlicher Probleme zu helfen.

EcoGaNTM
EcoGaNTM bezieht sich auf ROHMs neue Produktreihe von GaN-Bauelementen, die den niedrigen Einschaltwiderstand weiter verringern und die Hochgeschwindigkeits-Schaltcharakteristik von GaN maximieren. Auf diese Weise tragen sie zur Energieeinsparung und Miniaturisierung bei. Das Ziel: den Stromverbrauch einer Anwendung zu senken, Peripheriekomponenten zu miniaturisieren und den Designaufwand sowie die Anzahl der benötigten Teile zu reduzieren.

Anwendungsbeispiele
Die neuen Bauelemente eignen sich ideal für eine Vielzahl von Stromversorgungssystemen in Industrieanalgen und Endverbrauchergeräten, einschließlich Servern und Netzteilen.

Ancora Semiconductors Inc
Eine Tochtergesellschaft von Delta Electronics, einem globalen Anbieter von Stromversorgungs- und Wärmemanagementlösungen. Das im Juli 2022 gegründete Unternehmen hat sich auf die Entwicklung von GaN-Bauelementen und -Technologien spezialisiert. Für weitere Informationen über Ancora besuchen Sie bitte: https://www.ancora-semi.com/EN.

Terminologie
GaN HEMT
GaN (Galliumnitrid) ist ein Verbindungshalbleitermaterial, das in Leistungs-komponenten der nächsten Generation verwendet wird. Aufgrund seiner im Vergleich zu Silizium überlegenen Eigenschaften, wie zum Beispiel der hervorragenden Hochfrequenzcharakteristik, wird es zunehmend eingesetzt. HEMT steht für High Electron Mobility Transistor.

RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss
Ein Index zur Bewertung der Schaltleistung, wobei sich Ciss auf die Gesamtkapazität auf der Eingangsseite und Coss auf die Ausgangsseite bezieht. Je niedriger dieser Wert ist, desto höher ist die Schaltgeschwindigkeit und desto geringer sind die Verluste beim Schalten.




ESD (Elektrostatische Entladung)
Ein Stromstoß, der auftritt, wenn geladene Objekte wie der menschliche Körper und elektronische Geräte miteinander in Kontakt kommen. Diese Art von Überspannung kann zu Fehlfunktionen oder zur Zerstörung von Schaltkreisen und Geräten führen.

www.rohm.com

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