Neue CoolSiC™ MOSFETs 650 V G2 im TOLT- und Thin-TOLL-Gehäuse verbessern die Systemleistungsdichte
Die Elektronikbranche erlebt einen signifikanten Wandel hin zu kompakteren und leistungsfähigeren Systemen, die durch technologische Fortschritte und den zunehmenden Fokus auf die Dekarbonisierung angetrieben werden.
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Mit der Einführung der neuen Thin-TOLL 8x8- und TOLT-Gehäuse beschleunigt und unterstützt die Infineon Technologies AG diesen Trend. Die Gehäuse ermöglichen es, das PCB-Mainboard sowie die Tochterkarten maximal auszureizen und berücksichtigen dabei auch die thermischen Anforderungen und Platzbeschränkungen des Systems. Infineon erweitert nun sein Portfolio an diskreten CoolSiC™ MOSFETs 650 V um zwei neue Produktfamilien im Thin-TOLL 8x8- und TOLT-Gehäuse. Sie basieren auf der zweiten Generation (G2) der CoolSiC-Technologie und zeichnen sich durch deutlich verbesserte Figures-of-Merit, eine höhere Zuverlässigkeit und eine bessere Benutzerfreundlichkeit aus. Beide Produktfamilien sind speziell auf hohe und mittlere Frequenzen bei Schaltnetzteilen (SMPS) ausgerichtet, einschließlich KI-Server, erneuerbare Energien, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge und große Haushaltsgeräte.
Das Thin-TOLL-Gehäuse hat einen Formfaktor von 8x8 mm und bietet die beste Thermozyklusfähigkeit (Thermal Cycling on Board, TCoB) auf dem Markt. Bei TOLT handelt es sich um ein TSC-Gehäuse (Top-Side-Cooled) mit einem ähnlichen Formfaktor wie TOLL. Beide Gehäusetypen bieten Entwicklerinnen und Entwicklern mehrere Vorteile: Werden sie zum Beispiel in KI- und Server-Netzteilen eingesetzt, verringern sich die Dicke und Länge der Tochterkarten, und es kann ein flacher Kühlkörper verwendet werden.
Beim Einsatz in Mikroinvertern, 5G PSU, TV PSU und SMPS reduziert das Thin-TOLL 8x8-Gehäuse die von den Stromversorgungsbauteilen beanspruchte PCB-Fläche auf der Hauptplatine. Parallel dazu hält TOLT die Sperrschichttemperatur der Bauteile unter Kontrolle, denn diese Anwendungen nutzen in der Regel Konvektionskühlung. Die TOLT-Bauteile vervollständigen das Portfolio der industriellen CoolSiC-Bauteile mit Oberseitenkühlung von Infineon, konkret CoolSiC 750 V im Q-DPAK-Gehäuse. Dadurch kann die von SiC-MOSFETs beanspruchte Leiterplattenfläche reduziert werden, sofern die Stromversorgung der Bauteile kein Q-DPAK-Gehäuse erfordert.
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