CoolSiC Schottky Diode 2000 V ist jetzt im TO-247-2-Gehäuse verfügbar
Die Infineon Technologies AG adressiert diesen Markttrend mit den CoolSiC Schottky Dioden 2000 V G5. Diese ersten diskreten Siliziumkarbid-Dioden mit einer Durchbruchspannung von 2000 V wurden im September 2024 auf den Markt gebracht.
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Das Produktportfolio wurde nun um die Schottky Diode im TO-247-2-Gehäuse erweitert. Diese ist mit den meisten bestehenden TO-247-2-Gehäusen pin-kompatibel. Die Produktfamilie eignet sich für Anwendungen mit Zwischenkreisspannungen von bis zu 1500 V DC und ist damit beispielsweise ideal für den Bereich Solar und das Laden von Elektrofahrzeugen.
Die CoolSiC Schottky Diode 2000 V G5 im TO-247-2-Gehäuse ist mit Nennströmen von 10 bis 80 A erhältlich. Entwicklerinnen und Entwickler können so in ihren Anwendungen im Vergleich zu 1200-V-Lösungen mit nur der Hälfte der Komponenten höhere Leistungsstufen erreichen. Das vereinfacht das gesamte Design und ermöglicht einen reibungslosen Übergang von mehrstufigen zu zweistufigen Topologien.
Darüber hinaus nutzt die CoolSiC Schottky Diode 2000V G5 im TO-247-2-Gehäuse die .XT Interconnection-Technologie, die zu einem deutlich geringeren Wärmewiderstand und einer geringeren thermischen Impedanz führt und so ein besseres Wärmemanagement ermöglicht. Zudem wurde die Robustheit gegenüber Feuchtigkeit in Zuverlässigkeitstests gemäß HV-H3TRB nachgewiesen. Die Dioden weisen weder Sperr- noch Durchlassverzögerung auf und zeichnen sich durch niedrige Durchlassspannung aus, was eine verbesserte Systemleistung gewährleistet.
Die 2000-V-Diodenfamilie passt perfekt zu den CoolSiC MOSFETs 2000 V im TO-247Plus-4 HCC-Gehäuse, die Infineon im Frühjahr 2024 eingeführt hat. Neben dem TO-247-2-Gehäuse ist die CoolSiC Diode 2000 V auch im TO-247Plus-4 HCC-Gehäuse erhältlich.
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