Murata Power Solutions wählt SiC-SBDs von ROHM für Netzteile in Rechenzentrumsanwendungen
Murata Power Solutions wird die Hochleistungs-Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Barrier-Dioden (SBD) von ROHM einsetzen, um in Rechenzentrumsanwendungen die Leistung von Stromversorgungseinheiten (Power Supply Units, PSUs) zu verbessern und die Abmessungen zu reduzieren.
Die SiC-SBDs der SCS308AH-Serie von ROHM zeichnen sich durch eine hohe Überspannungsfestigkeit sowie eine kurze Erholungszeit aus und ermöglichen ein schnelles Schalten.
Die D1U-Front-End-AC/DC-Netzteilserie von Murata umfasst viele aktive Module wie das D1U54P-W-2000-12-HB3C und das D1U54P-W-1200-12-HC4PC. Dies sind hocheffiziente Front-End-Netzteile mit Leistungsfaktorkorrektur, die einen 12-V-Haupt- und einen 12-V/3,3-V-Standby-Ausgang liefern. Mehrere Einheiten können sich den Strom teilen und parallel betrieben werden. Die Netzteile unterstützen Hot-Plugging und sind gegen Fehlerzustände wie Übertemperatur, Überstrom und Überspannung geschützt. Mit ihrem flachen 1U-Gehäuse eignen sie sich ideal für die zuverlässige, effiziente Stromversorgung von Servern, Workstations, Speichersystemen und anderen verteilten 12-V-Stromversorgungssystemen. Gleichzeitig wird die Anzahl der erforderlichen Stromversorgungsmodule minimiert.
Dr. Longcheng Tan, Senior Electrical Engineer und Projektleiter, Murata Power Solutions
„Durch die Umstellung auf SiC-Bauelemente sind wir in der Lage, Stromversorgungen mit besserem Wirkungsgrad und höherer Leistungsdichte zu entwickeln. Wir können die Schaltfrequenz von SiC-Bauelementen erhöhen, um das Volumen von passiven Komponenten und Kühlkörpern zu reduzieren. Die Murata-Gruppe verfügt über eine spezielle Beschaffungsabteilung, die verschiedene Anbieter von SiC-Bauelementen und deren Produkte evaluiert. Die Wahl fiel vor allem aufgrund der Zuverlässigkeit der Produkte auf ROHM. ROHM stellte uns auch Muster für das Prototyping zur Verfügung und leistet schnellen Support. Die Leistungsfähigkeit der SBDs ist hervorragend, und wir gehen jetzt mit den D1U-Stromversorgungen in die Massenproduktion. Murata verwendet die SiC-MOSFETs von ROHM auch in Entwicklungsprojekten für Dreiphasen-Wechselrichter. Auch die Leistungsfähigkeit dieser SiC-MOSFETs ist höchst beeindruckend.“
Jay Barrus, Präsident, ROHM Semiconductor U.S.A., LLC
„Wir freuen uns, Murata Power Solutions, ein Unternehmen der Murata Manufacturing Group – einem führenden Hersteller von Industrieausrüstungen einschließlich Stromversorgungssystemen – zu unterstützen. Wir sind führend bei SiC-Leistungshalbleitern und verfügen in diesem Bereich sowie bei der Bereitstellung von Leistungslösungen in Kombination mit Gate-Treiber-ICs über einen erheblichen technologischen Vorsprung. Gemeinsam mit Murata Power Solutions wollen wir die Energieeffizienz von Stromversorgungssystemen weiter verbessern, indem wir das Potenzial der SiC-Technologie für Industrie- und Dateninfrastrukturen voll ausschöpfen.“
ROHM ist seit Beginn der weltweiten Massenproduktion von SiC-MOSFETs führend in der SiC-Bauelementetechnologie und bei SiC-Produkten. ROHMs neueste SiC-SBDs der dritten Generation, die von Murata Power Solutions eingesetzt werden, bieten eine höhere Stoßstromfähigkeit und reduzieren die branchenweit kleinste Durchlassspannung der zweiten SBD-Generation noch weiter. Die kapazitive Gesamtladung (Qc) der SiC-SBDs von ROHM ist gering, was die Schaltverluste reduziert und ein schnelles Schalten ermöglicht. Im Gegensatz zu Si-basierten Fast-Recovery-Dioden, bei denen die trr (Reverse Recovery Time) mit der Temperatur ansteigt, bleiben die Eigenschaften der SiC-Bauelemente von ROHM konstant. Darüber hinaus ermöglichen die SiC-SBDs es den Herstellern, die Größe von Industriegeräten und Unterhaltungselektronik zu reduzieren. Dies macht sie zur idealen Lösung für den Einsatz in Leistungsfaktor-Korrekturschaltungen und Wechselrichtern.
Weitere Informationen
Einen Überblick über die SiC-Leistungs-bauelemente, SiC-MOSFETs, SiC-SBDs und SiC-Leistungsmodule sowie verschiedene unterstützende Inhalte zur Einführung und einfachen Bewertung der SiC-MOSFETs der vierten Generation sind auf der SiC-Website von ROHM unter folgendem Link zu finden: https://www.rohm.com/products/sic-power-devices
Weiterführendes Material für ROHMs SiC MOSFETs der vierten Generation:
- Videos zur Produkteinführung
- Anwendungshinweise (Produktübersicht und Bewertungsinformationen, Traktionswechselrichter, Onboard-Ladegeräte, SMPS)
- Entwurfsmodelle (SPICE, PLECS, 3D-CAD-Daten von Gehäusen, Footprints, usw.)
- Simulationsschaltungen von Schlüsselanwendungen (ROHM Solution Simulator)
- Informationen zum Evaluierungs-Board
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